A.硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As) B.硅中掺有元素杂质硼B.、铝(Al) C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE) D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布?()
A.高斯函数B.余误差函数C.指数函数D.线性函数
判断题离子源是产生离子的装置。()
多项选择题硅外延生长工艺包括()。
A.衬底制备 B.原位HCl腐蚀 C.生长温度,生长压力,生长速度 D.尾气的处理
单项选择题位错的形成原因是()。
A.位错就是由弹性形变造成的 B.位错就是由重力造成的 C.位错就是由范性形变造成的 D.以上答案都不对
单项选择题下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:()
A、单基极条图形 B、双基极条图形 C、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构 D、梳状结构