60年代，采用锂漂移技术在P型和N型半导体之间，得到受主杂质浓度和施主杂质浓度平衡的高电阻率补偿材料区，该区具有的性质与本征材料类似，通常以I（IntrinsiC.表示，简称I区，又叫补偿区，它是探测器的灵敏区，其厚度可以达到10mm以上。锂漂移探测器是P-I-N结构，习惯上又称为PIN探测器。
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