A.沉积温度B.反应气体的比例C.基体材料D.压强影响CVD质量的因素有（）……

多项选择题蒸镀制膜主要包括的物理阶段有（）

A.淀积材料蒸发或升华为气态
B.原子从蒸发源输运到基片
C.蒸气粒子在基片上沉积
D.粒子在基片表面重排凝结成膜

多项选择题提拉法生长单晶体的优点有（）

A.可以直接观察晶体的生长状况，为控制晶体外形提供了有利条件
B.晶体在熔体的自由表面处生长，能够显著减小晶体的应力
C.可以得到不同取向的单晶体，降低位错密度
D.能够以较快的速度生长较高质量的晶体

多项选择题适合熔体生长可以获得高质量单晶体的理想材料应具有（）

A.没有破坏性相变
B.较低的蒸气压
C.同成分熔化
D.纯元素

多项选择题关于光滑界面与粗糙界面，下列说法正确的有（）

A.光滑界面是以不连续的方式生长。
B.光滑界面的生长又称为侧向生长。
C.粗糙界面的生长能连续地生长
D.粗糙界面的生长又称为层状生长

单项选择题完全光滑界面的生长是通过（）而进行的。

A.台阶的产生
B.扭折的产生
C.台阶的运动
D.扭折的运动