A.管壳清洗B.工艺操作C.清点电路D.填写数据密封工艺中静电防护主要控制环节是（）……

单项选择题下列芯片键合方法哪一种散热性较差（）

A.共熔焊
B.倒装片键合
C.芯片载体组装
D.半导体-热塑料-介质法

单项选择题面键合技术是对下列哪种器件的键合方法（）

A.倒装器件
B.梁式引线器件
C.载带器件
D.芯片载体

单项选择题金锗合金装片时通常采用（）

A.360~410℃
B.420~460℃
C.315~350℃
D.310~350℃

单项选择题金锑合金的低共熔点为360℃共晶焊时应采用（）

A.400~450℃
B.380~410℃
C.420~440℃
D.420~450℃

单项选择题超声键合所用的硅铝丝是含1%硅的冷拉铝丝，加硅的目的是（）

A.提高铝丝的抗拉强度
B.提高铝丝的抗氧化能力
C.提高铝丝的导通能力
D.提高铝丝机械强度