A.减小光电二极管的接受光的区域的面积; B.减小光电二极管的P—N结的厚度; C.减小后级电路的负载电阻的阻值; D.给光电二极管加较大的反向偏置电压。
单项选择题关于半导体光伏器件,以下说法正确的是:()
A.光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第一象限; B.光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第四象限 C.光电池通常工作在其伏安特性曲线的第一象限; D.光电池通常工作在其伏安特性曲线的第四象限;
单项选择题一个三相CCD,其材料中少数载流子寿命为τ,极间转移时间为t2,则其工作频率应满足:()
A.A B.B C.C D.D
单项选择题在1000lx的光照下,某光电池的开路电压是0.56伏,短路电流是0.28毫安。若要使用此光电池测量从几百到几千勒克斯的光照度,则关于其负载电阻最合适的说法是:()
单项选择题某光电子发射器件的量子效率是0.6,如入射光波长是555nm,则其光照灵敏度是()
A.0.22A/lm B.0.22A/W C.0.33mA/lm D.0.33mA/W
单项选择题光敏电阻与入射光的关系有:()
A.其响应取决于入射光辐射通量,与光照度无关; B.其响应取决于光照度,与入射光辐射通量无关; C.其响应取决于光照度,与入射光波长无关; D.其响应取决于入射光辐射通量,与入射光波长无关。