下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程,写出发生反应的方程式,并简述其中1~5各步的含义。
(1)反应气体从腔体入口向晶圆片附近输运; (2)这些气体反应生成系列次生分子; (3)这些反应物输运到晶圆片表面; (4)表面反应释放出硅; (5)气体副产物解吸附; (6)副产物离开晶圆片表面的输运; (7)副产物离开反应器的输运
问答题常用溅射技术有哪几种,简述它们的工作原理和特点。
问答题什么是溅射产额,其影响因素有哪些?简述这些因素对溅射产额产生的影响。
问答题热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?
问答题物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。
问答题对RTP来说,很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后,滑移现象变得更为严重,这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的?