A.发射光谱法B.干涉测量法C.质谱分析法D.椭圆偏振发通过分析刻蚀前后刻蚀腔内的成分来判断是否达到终点的终点……

单项选择题刻蚀氮化硅薄膜时，可以用加热的磷酸进行刻蚀，此时的温度一般设置在（）

A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃

单项选择题一般情况下，刻蚀完成后需要进行的操作是（）

A.曝光
B.涂胶
C.去胶
D.显影

多项选择题最常用的砷化橡的湿法刻蚀腐蚀液包括（）

A.硫酸
B.氢氟酸
C.双氧水
D.去离子水

多项选择题回态源扩散的杂质源有（）

A.硼酸三甲酯
B.氮化硼
C.硼
D.磷微晶玻璃片

多项选择题在离子注入完成后，检验到硅片表面有颗粒污染严重的情况，该情况引起的主要问题有（）

A.在局部阻挡掺杂
B.对器件结构造成连接或短路
C.对微小器件结构造成沟型损伤
D.整片硅片报废