A、发射结反偏、集电结反偏B、发射结反偏、集电结正偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结正偏、集电结正偏晶体三……

单项选择题关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。

A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管
B、NPN管反向漏电流小于PNP管
C、电压越高越大
D、NPN管反向漏电流大于PNP管

单项选择题NPN三极管为（）。

A、硅三极管
B、锗三极管
C、可能是硅管或是锗管
D、场效应管

单项选择题要使光敏二极管有较大的输出应该（）。

A、不加电压，只要有较强光照
B、加反向电压，有较强光照
C、加正向电压，有较强光照
D、工作在反向击穿状态，不需要光照

单项选择题下面型号中表示稳压管的型号是（）。

A、2CP1
B、2CW54
C、2CKS4A
D、2CZ50

单项选择题晶体管型号2CZ50表示（）。

A、50A的硅整流二极管
B、硅稳压管
C、50A的锗整流二极管
D、普通硅三极管

单项选择题当反向电压小于击穿电压是二极管处于（）状态。

A、死区
B、截止
C、导通
D、击穿

单项选择题晶体二极管的最大反向的工作电压（）。

A、等于击穿电压
B、漏电达到10mA时的电压
C、漏电达到1mA时的电压
D、取反向击穿电压的一半

单项选择题晶体二极管的正向偏置是指（）。

A、阳级接高电位，阴极接低电位
B、阳级接低电位，阴极接高电位
C、二极管没有阳阴极之分
D、二极管极性任意接

单项选择题晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性（）。

A、电压微变，电流微变
B、电压微变，电流剧变
C、电压剧变，电流微变
D、电压不变，电流剧变

单项选择题PN结的反向漏电流（）而急剧增大。

A、随着电压的升高
B、随着电压的降低
C、随着温度的升高
D、随着温度的降低

单项选择题PN结反向漏电流是由（）产生的。

A、电子
B、空穴
C、少数载流子
D、多数载流子

单项选择题PN结内部（）。

A、存在内电场，能帮助少数载流子漂流
B、存在内电场，能帮助多数载流子扩散
C、不存在内电场
D、存在内磁场，起到单向导电作用

单项选择题PN结又可以称为（）。

A、电容层
B、耗尽层
C、绝缘层
D、隔离层

单项选择题P型半导体是由半导体晶体材料中掺入（）而生成。

A、3价元素
B、4价元素
C、5价元素
D、电子

单项选择题半导体中的载流子（）。

A、只有电子
B、只有空穴
C、只有价电子
D、自由电子和空穴