A.不变B.降低C.突变D.提高在巴申曲线击穿电压最低值右侧，因碰撞电离概率起主导作用，而碰撞次数起次要作用，……

单项选择题汤森德理论阐述了（）气体的放电过程。

A.短间隙
B.大间隙
C.固体中
D.长间隙

单项选择题起始电子在电场作用下发生碰撞电离，使（）迅速增加的现象称为电子崩。

A.复合离子
B.带电质子
C.游离分子
D.运动电子

单项选择题一般所说的电子崩，往往是指电子崩区域，电子崩头的电荷密度远远大于崩的中部和崩的尾部，且（）集中在崩头。

A.正电荷
B.分子流
C.负电荷
D.离子流

单项选择题试验表明，击穿通道是局限在狭窄的（）形通道中，且有分支，说明放电过程与局部条件有关，有偶然因素。

A.管状
B.曲折
C.圆柱
D.圆锥

单项选择题当外加（）很高，达到间隙的击穿场强时，电子崩的发展形成流注，实现击穿。

A.电压
B.电场
C.磁场
D.能量