μ μ μ μ‎附图二级运放电路中，所有MOS晶体管的沟道长度L均为1μm。如果采用以下PMOS晶体管模型，可……

多项选择题附图运放测试电路，可用于测试运放的哪些指标？（）

A.单位增益带宽
B.压摆率
C.相位裕度
D.开环增益

多项选择题‍附图共源放大电路中，如果希望增大M1的跨导，可以如何修改电路元件参数？（）

A.适当增大M₁的沟道长度L
B.适当增大M₂的沟道宽度W
C.适当增大M₁的沟道宽度W
D.适当增大M₁的栅极直流偏置电压VG

多项选择题‌图示滤波电路，假设运放是理想的。如果希望保持带内增益不变，但是增大中心频率，可以如何修改电路元件参数？（）

A.增大电容C ，其它参数不变
B.减小电容C ，其它参数不变
C.增大电阻R ，相应增大电阻R_f，其它参数不变
D.减小电阻R ，相应减小电阻R_f，其它参数不变

多项选择题附图差分放大电路中，哪个晶体管可能存在背栅效应？（）

A.M₄
B.M₂
C.M₅
D.M₁

单项选择题‏附图为某运放的开环增益。从中可以得到，运放的相位裕度约为（）。

A.-90度
B.-40度
C.90度
D.160度