找考题网-背景图
判断题

小角度晶界可以理解为位错墙。()

【参考答案】

正确
<上一题 目录 下一题>
热门试题

判断题小角度晶界可以理解为位错墙。()

判断题电负性差异越大，异类原子结合力越大，容易形成化合物。()

判断题电负性差异越大，异类原子结合力越大，容易形成化合物。()

判断题攀移对塑性变形没有意义。()

判断题非晶体固体中扩散激活能高，所以扩散系数高。()

判断题非晶体固体中扩散激活能高，所以扩散系数高。()

判断题非晶体固体中扩散激活能高，所以扩散系数高。()

判断题位错的密度可以分为体密度和面密度。()

判断题位错的密度可以分为体密度和面密度。()

判断题位错的密度可以分为体密度和面密度。()

判断题F－R源开动需要克服一定的临界阻力(势垒)。()

判断题F－R源开动需要克服一定的临界阻力(势垒)。()

判断题F－R源开动需要克服一定的临界阻力(势垒)。()

判断题F－R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错必为同性质、异号位错。()

判断题F－R源中位错线弯曲成半圆状态时，两端点位错必为同性质、异号位错。()