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单项选择题

A.变形量较大时,低层错能金属通过亚晶界迁移、亚晶长大成核。B.变形量较小时,通过晶界弓出形核,由高密度位错区……

下列关于再结晶形核机制的描述,错误的是()。

A.变形量较大时,低层错能金属通过亚晶界迁移、亚晶长大成核。
B.变形量较小时,通过晶界弓出形核,由高密度位错区向低密度位错区弓出。
C.再结晶核心是无畸变的。
D.变形量较大时,高层错能金属通过亚晶转动、聚合成核。

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