第一次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻 第二次光刻：P隔离扩散孔光刻 第三次光刻：P型基区扩散孔光刻 第四次光刻：N+发射区扩散孔光刻 第五次光刻：引线孔光刻 第六次光刻：反刻铝
问答题在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响？
问答题四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？
名词解释什么是摩尔定律; 摩尔定律名词解释定义是什么?
名词解释什么是die size; die size名词解释定义是什么?
名词解释什么是wafer size; wafer size名词解释定义是什么?
