A.吞并周围小晶粒而迅速长大B.平均晶粒尺寸的长大C.晶界移动的结果D.以上都不是在材料的烧结过程中，二次再结……

单项选择题在材料的烧结过程中，当体系中有少量液相存在，并且θ＜90°、C＞0，该烧结过程中的传质方式是（）。

A.扩散传质
B.流动传质
C.蒸发-凝聚传质
D.溶解-沉淀传质

单项选择题影响固相反应速率的反应总阻力是（）。

A.各个分阻力的倒数和
B.各个分阻力的和
C.各个分阻力的和的倒数
D.和分阻力无关

单项选择题熔体的冷却析晶相变，主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现，成核速率和晶体生长速率都与过冷度⊿T 有关，只有在一定的过冷度下才能有最大的成核和生长速率。与晶体生长速率曲线的峰值相比，成核速率曲线的峰值一般位于（）。

A.较大过冷度⊿T 处
B.较小过冷度⊿T 处
C.同一过冷度⊿T 处
D.不能确定

单项选择题在熔体冷却析晶相变过程中发生均匀成核时，均匀成核速率的大小除了受核化位垒影响外，还取决于（）。

A.质点扩散速率
B.表面能
C.离子电价
D.和以上因素无关

单项选择题熔体的冷却析晶相变，主要通过成核、晶体生长等二个过程来实现，成核速率与晶体生长速率两曲线的重叠区通常称为“析晶区”。当析晶热处理温度设在“析晶区”中较低的过冷度⊿T 处，其析晶现象是晶粒（）。

A.多而细
B.少而粗
C.多而粗
D.少而细