下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线,试分析曲线走势,并给出其变化的原因。
问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些?
问答题简述外延薄膜的生长过程,其最显著的特征是什么?
问答题简述APCVD、LPCVD、PECVD的特点。
问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?
问答题对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。