单项选择题光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（）的情况。
A.对光刻精度较高 B.光刻图案密度较高 C.光刻的材料易于腐蚀 D.光刻的材料难以腐蚀
单项选择题在CMOS工艺中，最为昂贵的步骤是：（）
A.腐蚀 B.离子注入 C.光刻 D.CVD
判断题提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。
判断题MBE只能用于III-V族化合物的生长。
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