A.对CMOS结构的NAND3，若每个MOS器件的导通电阻完全相同，当高电平容限与低电平容限相同时，高电平驱动……

多项选择题关于CMOS逻辑单元，下列说法中，哪些是正确的？（）

A.在同一芯片上制作大量晶体管就称为集成电路
B.CMOS逻辑单元完全由晶体管在电路板上连接构成
C.集成电路需要晶体管连接形成功能单元后再进行封装
D.集成电路的对等性设计要求各逻辑单元的高电平驱动能力与低电平驱动能力相同

单项选择题设电压单位为V，电流单位为mA，电阻单位为欧姆。采用5V电源时，若CMOS反相器输出高电平容限为2V，输出低电平容限为2.2V，高电平驱动能力为8mA，低电平驱动能力为10mA，则NMOS导通电阻为（）。

A.275
B.250
C.220
D.200

单项选择题若CMOS单元的设计指标为：输入高电平最小值2.8V 输入低电平最大值2.3V输出高电平最小值3.9V 输出低电平最大值0.7V则高电平噪声容限为（）。

A.0.5V
B.1.1V
C.1.6V
D.2.1V

多项选择题采用CMOS结构实现下列逻辑运算时，哪些需要使用8个MOS晶体管？（）

A.y=（a+b.c）’
B.y=a+b+c
C.y=a+b+c’
D.y=a‘+b

多项选择题关于CMOS结构，下列说法中哪些是正确的？（）

A.在CMOS结构中，当2个输入控制的NMOS器件构成串联时，这2个变量控制的PMOS器件一定是并联
B.在CMOS基本结构中，每个输入一定控制2个MOS器件
C.CMOS结构形成的NAND4中，所有PMOS器件都形成串联
D.连接有上拉电阻的开路门单元的可能输出状态为高阻态、低电平状态和高电平状态