A.减小栅氧化层厚度B.减小沟道宽度C.提高阈值电压D.增加沟道长度‍以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区……

单项选择题ICBO代表（）时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。

A.发射极开路、集电结反偏
B.发射极反偏、集电结开路
C.发射极短路、集电结反偏
D.发射极正偏、集电结反偏

单项选择题为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。

A.高浓度、浅结深
B.低浓度、浅结深
C.低浓度、深结深
D.高浓度、深结深

单项选择题‎在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。

A.正偏和正偏
B.零偏和反偏
C.反偏和反偏
D.正偏和反偏

单项选择题在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

单项选择题双极晶体管效应是通过改变（）。

A.正偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流
B.正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流
C.反偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流
D.反偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流