A.正偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流B.正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流C.反偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流D.反偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流
单项选择题由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为（）的势垒。
A.-qVbiB.-VbiC.VbiD.qVbi
单项选择题在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。
A.增加载流子的散射B.引入复合中心增加少子寿命C.增加载流子的能量D.引入复合中心降低少子寿命
