（1）增大基区宽度：由工艺决定； （2）使衬底可靠接地或电源。
问答题如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
问答题消除“Latch-up”效应的方法？
问答题什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?
问答题什么是MOS晶体管的有源寄生效应？
问答题什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？
