问答题结晶过程的控制方法有哪些?
问答题晶体成核的机理是什么?
判断题溶质结晶过程中,只有过饱和度形成时才能发生结晶。
判断题晶体成核机理中的二次成核在微溶化合物的沉淀过程中起主导作用。
判断题冷却结晶器中,导管和交换器壁的温差△T为1~10℃。
判断题没有必要做多变量控制器,因为简单的反馈控制器可轻易得到可比性的结果。
单项选择题CSD是指()。
A.晶体大小分布 B.晶体数量分布 C.晶体体积分布 D.晶体生成速度
单项选择题在冷却结晶过程中,冷却方法有()。
A.直接冷却 B.间接冷却 C.快速冷却 D.以上全是
填空题结晶一般是()、()、()和()的统称,但这些结晶方法在处理方法和相应的设备方面存在很大的差异。
填空题在结晶过程中,主要工艺参数溶液的()以及这些参数在晶体器上的分布情况。
填空题常用的结晶器有强制循环结晶器、()、流化床结晶器、()。
填空题晶面生长率决定()、()和()。
填空题影响结晶方法选择的因素()、()、()。
名词解释什么是过饱和溶液; 过饱和溶液名词解释定义是什么?
名词解释什么是饱和溶液; 饱和溶液名词解释定义是什么?