①器件保护（避免划伤和污染），因sio2致密； ②表面钝化（饱和悬挂键，降低界面态；需一定厚度，降低漏电流等）； ③用作绝缘介质和隔离（LOCOS，STI）如：隔离（如场氧，需要一定的厚度）； ④绝缘栅（膜厚均匀，无电荷和杂质，需干氧氧化）、多层布线绝缘层、电容介质等； ⑤选择性扩散掺杂的掩膜。
问答题STI隔离技术中，为什么采用干法离子刻蚀形成槽？
问答题描述金属复合层中用到的材料？
问答题为什么晶体管栅结构的形成是非常关键的工艺？更小的栅长会引发什么问题？
问答题为什么要采用LDD工艺？它是如何减小沟道漏电流的？
问答题光刻和刻蚀的目的是什么？
