判断题带电感性负载的可控硅整流电路加入(续流)二极管后,晶闸管的导通角比没有二极管前减小了,此时电路的功率因数减小了。
判断题带平衡电抗器的双反星可控整流电路,其输出电压脉动较小且变压器无直流磁化问题,与不带平衡电抗器的双反星形可控整流电路相比,变压器的利用率可提高一倍,对晶闸管电流定额的要求也较低。
判断题晶闸管是一种大功率的可控半导体器件,普通型晶闸管具有反向阻断特性,故又称为逆阻型晶闸管。
判断题使晶闸管维持导通状态所必需的最小门极电流,称为该管的维持电流。
判断题三相桥式全控整流电路一般不用于有源逆变负载或要求可逆调速的中、大容量直流电动机负载。
判断题在三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时,其触发延迟角α的最大移相范围为0°—90°。
判断题电子设备内部干扰的产生与电子设备或系统的结构及制造工艺有关。
判断题电子设备外部干扰的产生与电子设备或系统本身的结构以及外部环境因素有关。
判断题容量为600—4000kV²A的装置一般采用GTO晶闸管,而容量为4000kV²A以上的装置才采用普通晶闸管。
判断题电力晶体管(GTR)最大容量为1200V 400A,阳佳工作频率约为1—10kHz,适用于500V²A以上的应用场合。
判断题电力半导体器件额定电流的选择依据是必须大于器件在电路中实际承受的平均电压,并有2—3倍的裕量。
判断题晶闸管的额定正向平均电流是指:在环境温度为+40℃,标准散热及元件导通条件下,阳极和阴极间可连续通过的工频正弦半波电流的平均值。
判断题电力半导体器件一般工作在较为理想的开关状态,其显著特点是导通时压降很低,关断时泄漏电流很小,消耗能量很少或几乎不消耗能量,具有高效率和节能的特点。
判断题施密特触发器不能把缓慢变化的模拟电压转换成阶段变化的数字信号。
判断题逻辑电路中的“与”门和“或”门是相对的,即正逻辑“与”门就是负逻辑“或”门,正逻辑“或”门就是负逻辑“与”门。