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单项选择题

A.〉,〈B.〉,〉C.〈,〈D.〈,〉NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS()Vt,uDS()uGS-V……

NEMOSFET饱和区的工作条件为uGS()Vt,uDS()uGS-Vt

A.〉,〈
B.〉,〉
C.〈,〈
D.〈,〉