A.正偏和正偏B.零偏和反偏C.反偏和反偏D.正偏和反偏‎在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处……

单项选择题在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。

A.A
B.B
C.C
D.D

单项选择题双极晶体管效应是通过改变（）。

A.正偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流
B.正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流
C.反偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流
D.反偏PN结的偏压来控制其附近正偏结的电流

单项选择题由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为（）的势垒。

A.-qV_bi
B.-V_bi
C.V_bi
D.qV_bi

单项选择题在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。

A.增加载流子的散射
B.引入复合中心增加少子寿命
C.增加载流子的能量
D.引入复合中心降低少子寿命

单项选择题对突变PN结，反向电压很大时，可以略去Vbi，这时势垒电容与（）成反比。

A.A
B.B
C.C
D.D