A.正电荷B.分子流C.负电荷D.离子流一般所说的电子崩，往往是指电子崩区域，电子崩头的电荷密度远远大于崩的中……

单项选择题试验表明，击穿通道是局限在狭窄的（）形通道中，且有分支，说明放电过程与局部条件有关，有偶然因素。

A.管状
B.曲折
C.圆柱
D.圆锥

单项选择题当外加（）很高，达到间隙的击穿场强时，电子崩的发展形成流注，实现击穿。

A.电压
B.电场
C.磁场
D.能量

单项选择题一旦形成流注，放电就进入了新的阶段，放电可以由其本身产生的空间（）提供电子，只在外施电压作用下而自行维持，即转入自持放电。

A.电子离
B.电子崩
C.负电场
D.光电离

单项选择题最大与最小场强值（），称为极不均匀电场。

A.相差很小
B.相差很大
C.没有相差
D.绝对相同

单项选择题无论是棒一棒电极电场，还是棒一板电极电场，在曲率半径小的棒电极前端，电场（），放电就将从这里开始。

A.最为均匀
B.强度较小
C.强度最高
D.强度为零