TEM把加速和聚集的电子束投射到非常薄的样品上，电子与样品中的电子碰撞而电子与样品中的原子的碰撞而改变方向，从而产生立体角散射，散射角的大小与样品的密度、厚度有关，因此可以形成明暗不同的影像。TEM是惟一定量测量硅片上一些非常小特征尺寸的测量工具。
问答题硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？
问答题给出半导体质量测量的定义。例出在集成电路制造中12种不同的质量测量。
问答题什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
问答题将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
问答题例举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅的纯度能达到多少？
