填空题GTR是一种双极型半导体器件,即其内部电流由()和()两种载流子形成。
填空题功率晶体管有()和()两种结构。
填空题当晶闸管散热条件不满足规定要求时,则元件的额定电流应立即()使用,否则元件会由于结温超过允许值而损坏。
填空题晶闸管在使用时,为保证可靠、安全地触发,触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在()。
填空题晶闸管的阳极伏安特性是指晶闸管()之间的关系曲线。
填空题常见的大功率晶闸管,其外形有()和()两种封装。
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判断题变频器的过负载率用于变频器过负载保护,不适用于电动机过负载保护。
判断题为使晶闸管可靠触发,触发电路提供的触发电压和触发电流等于晶闸管产品参数提供的门极触发电压与触发电流值。
判断题MCT是采用集成电路工艺制成的。
判断题功率MOSFET是利用栅源电压的大小来改变半导体表面感生电荷的大小,从而控制漏极电流的大小。