A.快B.慢C.相同D.不相同
单项选择题MOS 晶体管的耐压（）。
A.最高B.最低C.比较高D.比较低
单项选择题锗管比硅管具有较低的（）压降。
A.平衡B.截止C.饱和D.死区
单项选择题硅管比锗管具有较小的（）。
A.电流B.电压C.漏电感D.漏电流
单项选择题在高压和高频电路中，都必须采用（）介质损耗的电容器。
A.高B.中C.低D.无
单项选择题介质损耗的大小和作为介质的（）的种类有关。
A.导体B.半导体C.金属D.绝缘材料
