判断题锗二极管正向导通的条件是Ub=0.7V。
判断题二极管的反向工作电压超过该二极管的反向击穿电压时，二极管会被击穿。
判断题二极管反向导通时的电阻RD很小。
判断题在P型半导体中，电子浓度大于空穴浓度。
判断题晶体管的电流放大倍数与放大电路的电压放大倍数不同。
