A.正比；正比B.正比；反比C.反比；正比D.反比；反比晶粒长大的平均速率与晶粒的起始粒径成（），临界晶粒尺寸……

单项选择题晶粒长大速率与温度和晶粒的曲率半径有关，温度越高，晶粒长大速率（）；曲率半径越大，晶粒长大速率（）。

A.越快；越快
B.越快；越慢
C.越慢；越快
D.越慢；越慢

判断题实际烧结中，几种传质过程可单独进行或几种同时进行，特定条件下是某种或几种机理起主导作用，条件改变时传质机理也随之发生变化。

多项选择题溶解-沉淀传质过程中需要控制的工艺参数有（）。

A.温度与粒度
B.液相数量
C.黏度
D.蒸汽压

单项选择题下列几种烧结传质机理中（）的致密化速率最高。

A.蒸发-凝聚传质
B.扩散传质
C.流动传质
D.溶解-沉淀传质

判断题高温下依靠黏性液体流动而致密化是大多数硅酸盐材料烧结的主要传质过程。