判断题基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比,称为基区输运系数。
判断题IES代表发射结反偏、集电结零偏时的发射极电流。
判断题对于一个N型MOSFET,为了保证器件正常工作,衬底电位应当等于或低于源极电位。
判断题MOSFET的沟道夹断总是先于速度饱和发生。
判断题当MOSFET的漏极电流较小时,随着温度的温度升高,漏极电流将减小。