A.正弦信号B.低频大信号C.低频小信号D.高频小信号小信号微变等效电路模型对放大电路进行交流分析时输入信号要……

单项选择题根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）

A.NPN型低频小功率硅晶体管
B.NPN型高频小功率硅晶体管
C.PNP型低频小功率锗晶体管
D.NPN型低频大功率硅晶体管

单项选择题某NPN型管电路中，测得UBE=0V，UBC=-5V，则可知管子工状态是否（）

A.放大
B.饱和
C.截止
D.不能确定

单项选择题射极输出器是典型的（）放大器。

A.电流串联负反馈
B.电压并联负反馈
C.电压串联负反馈

单项选择题基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。

A.截止区
B.饱和区
C.死区

单项选择题射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（）

A.带负载能力强
B.带负载能力差
C.减轻前级或信号源负荷

单项选择题电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（）。

A.放大电路的电压增益
B.不失真问题
C.管子的工作效率

单项选择题在共集电极放大电路中，输出电压与输入电压的关系是（）

A.相位相同，幅度增大
B.相位相反，幅度增大
C.相位相同，幅度相似

单项选择题基本放大电路中的主要放大对象是（）。

A.直流信号
B.交流信号
C.交直流信号均有

单项选择题基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）。

A.直流成分
B.交流成分
C.交直流成分均有

判断题电容滤波电容越大滤波效果越好。

判断题桥式整流用两个二极管。

判断题阻容耦合放大器只能放大交流信号。

判断题固定偏置电路电压放大倍数接负载时比不接负载大。

判断题静态工作点太高可能发生饱和失真。

判断题三极管内部结构特点之一有集电结面积比发射结面积小。