金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为（）。

单项选择题下面关于磁阻效应描述正确的是（）

A.磁阻效应是垂直于电流方向的横向电压
B.磁阻效应与材料性质无关
C.元件长宽比愈小，磁阻效应愈大
D.磁阻效应与几何形状无关

单项选择题热电偶中产生热电势的条件分别为（）

A.两热电极材料相同
B.两热电板材料不同
C.两热电极的两端点湿度不同
D.两热电极的两端点温度相同

单项选择题霍尔效应中，霍尔电势与（）

A.激磁电流成反比
B.激磁电流平方成反比
C.磁感应强度成正比
D.磁感应强度成反比

单项选择题对于电涡流传感器的谐振测位移电路，当无金属导体靠近时，其输出电压（）

A.最大
B.最小
C.随机变化
D.中间点

单项选择题下列传感器中不能做成差动结构的是（）

A.电阻应变式
B.自感式
C.电容式
D.电涡流式

单项选择题变极距型电容式传感器，其灵敏度与极距（）

A.成正比
B.平方成正比
C.成反比
D.平方成反比

单项选择题不能用涡流式传感器进行测量的是（）

A.材质鉴别
B.探伤
C.位移
D.非金属材料

单项选择题在测量位移的传感器中，符合非接触测量而且不受油污等介质影响的是传感器（）

A.电容式
B.压电式
C.电阻式
D.电涡流式

单项选择题压电式传感器的工作原理是（）

A.应变效应
B.压阻效应
C.压电效应
D.涡流效应

单项选择题半导体应变片主要是利用半导体材料的（）

A.形变
B.电阻率的变化
C.弹性模量的变化
D.泊松比的变化

单项选择题电容式传感器属于（）

A.能量转换型传感器
B.发电式传感器
C.结构型传感器
D.物性型传感器

单项选择题在光作用下，使电子逸出物体表面的现象称（）

A.内光电效应
B.外光电效应
C.热电效应
D.压电效应

单项选择题金属丝应变片在测量某一构件的应变时，引起电阻的相对变化主要由（）。

A.贴片位置的温度变化
B.电阻丝几何尺寸的变化
C.电阻材料的电阻率的变化
D.电阻截面积

单项选择题欲测1000℃以上钢管的温度，可选的测温传感器为（）

A.热敏电阻
B.铂电阻
C.铜电阻
D.热电偶

单项选择题压电式传感器与一般电压放大器连接使用时，中间要加一级前置放大器，该放大器主要用来（）

A.提高传感器灵敏度
B.实现高阻抗输入，低阻抗输出的变换
C.实现低阻抗输入，高阻抗输出的变换
D.实现高阻抗输入，高阻抗输出的变换