判断题体心立方的晶体堆砌密度要高于面心立方。
判断题CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
判断题区熔法可以生长熔点极高的晶体。
判断题液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
判断题生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski）。
