为了测得比栅距W更小的位移量，光栅传感器要采用（）技术。

单项选择题栅线密度为50线 mm的光栅，其栅线间距为（）。

A.50mm
B.0.05 mm
C.0.02mm
D.2mm

单项选择题电容式传感器在结构上加等位环的目的是为了（）。

A.补偿温度变化的影响
B.减小寄生电容
C.减小边缘效应
D.可以测量静态信号

单项选择题直流电桥的平衡条件可以概括为（）。

A.对臂阻抗之积相等
B.对臂阻抗之比相等
C.相邻臂阻抗之积相等
D.相邻臂阻抗之和相等

单项选择题应变式传感器是一种（）的测量装置。

A.只能测量应变
B.只能测量电阻的相对变化
C.可以测量能转化为应变的被测量
D.可以测量所有的被测量

单项选择题传感器在正、反行程中输出输入曲线不重合称为（）。

A.非线性
B.迟滞
C.重复性
D.灵敏度误差

多项选择题在检测技术中，主要采用的是压电型换能器，发射超声波利用压电材料的（），而接收信号则用（）。

A.多普勒效应
B.多普勒频移
C.逆压电效应
D.正压电效应

单项选择题某些电介质，当在电介质极化方向施加电场，它会产生变形，这种现象称为（）

A.逆压电效应
B.正压电效应
C.负压电效应
D.无压电效应

单项选择题在压电材料的主要特性参数中，（）是衡量材料压电效应强弱的参数，它直接关系到压电输出的灵敏度。

A.压电常数
B.介电常数
C.居里点
D.弹性常数

单项选择题在霍尔元件的主要指标中，KH是指（）灵敏度。

A.磁
B.乘积
C.电流
D.电势

单项选择题在扩散硅压力传感器，其敏感元件周边固定圆膜片，当（）具有最大负应力。

A.r＝0
B.r＝r₀
C.r＝0.635 r₀
D.r＝0.812 r₀

单项选择题在光线作用下，能使物体产生一定方向的电动势的现象称（）

A.光电效应
B.光生伏特效应
C.内光电效应
D.外光电效应

单项选择题金属在受到外力作用时，会产生相应的应变，其电阻也将随之发生变化，这种物理现象称为（）

A.霍尔效应
B.光电效应
C.应变效应
D.压电效应

单项选择题下列测力传感器中，属于发电型测力传感器的是（）

A.自感式传感器
B.磁电感应式传感器
C.电容式传感器
D.应变式传感器

单项选择题感应同步器的作用是测量（）

A.电压
B.电流
C.位移
D.相位差

单项选择题传感器能感知的输入变化量越小，表示传感器的（）

A.线性度越好
B.迟滞越小
C.重复性越好
D.分辨力越高