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单项选择题

A.流注B.离子崩C.中子崩D.导电道在二次电子崩的头部有大量电子进入初始电子崩的正空间电荷区内,与之混合成为……

在二次电子崩的头部有大量电子进入初始电子崩的正空间电荷区内,与之混合成为充满正,负带电介质的混合等离子通道,即形成()

A.流注
B.离子崩
C.中子崩
D.导电道