填空题b与位错线（）的位错称为刃位错，可用符号（）表示；b 与位错线（）的位错称为螺位错
填空题UO2+x在氧化气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1 6次方成（），如果减少周围氧气的分压，UO2+x的密度将（）
填空题由于（）的结果，必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”， 组分缺陷的浓度主要取决于（）和（）
填空题晶体的对称要素中微观对称要素种类有（）
单项选择题可以根据3T曲线求出熔体的临界冷却速率。熔体的临界冷却速率越大，就（）形成玻璃。
A.越难 B.越容易 C.很快 D.缓慢
