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单项选择题

某一单质晶体的肖特基缺陷形成能为4ev,则该晶体在1200K时的空位浓度为()。……

某一单质晶体的肖特基缺陷形成能为4ev,则该晶体在1200K时的空位浓度为()。

A.1.179×10-17
B.1.643×10-17
C.2.699×10-17
D.4.435×10-17