填空题直拉法生长单晶硅的热场，沿[111]晶向生长的纵向温度梯度（）沿[110]晶向生长的纵向温度梯度，沿[100]晶向生长的纵向温度梯度（）。
填空题硅单晶各晶面之间的（）是不同的，各晶面上的原子密度也不同。
填空题晶体生长时，（）是形成新晶面需要的动力。
填空题晶体生长时，面间距大的晶面间，原子的吸引力小，新的晶面形成难度（）。
填空题晶体生长时，各晶面的（）不同，面密度大的晶面。
