简答题 简述缺陷对物质性质的影响。

填空题GaAs中少量Zn代替Ga是（）型；InAs含有稍微过量的In是（）型。

填空题VO（化学计量为1：1）的密度测得值和理论值分别为5.92g·cm-3和6.49g·cm-3，证明VO晶体中存在的缺陷属于（）。

问答题铝为面心立方结构，其晶格参数为4.049A，密度的计算值和实验测定值（2.697g·cm-1）有差别，反映了晶体中存在有空位缺陷，试求1cm3单位体积晶体中的空位数。

问答题说明下列尖晶石的磁性行为： （1）ZnFe2O4是反铁磁性的； （2）MgFe2O4是亚铁磁性的，其磁矩随温度上升而增加； （3）MnFe2O4是亚铁磁性的，但其磁性与温度无关。

问答题下列少量杂质对AgCl晶体的导电率有什么影响？简述理由。  （1）AgBr  （2）ZnCl2 （3）Ag2O