填空题有效分凝系数K有效与平衡分凝系数K0的关系式是由于•A•Burton，R•C•Prim以及W•P•Slich等人于是1953年提出的，此方程称为（）。
填空题在生产中，熔体必然以一定速度凝固，分凝系数必然是K有效而不是K0，而K有效则决定于（），（），（），（）和K0等一些物理量。
填空题由于生长速度和熔体搅拌综合作用，导致平衡分凝系数和实际分凝系数不相等，为了反映分凝实际情况用（）代替K0。
填空题理论分析和实践证明，同一熔体分凝系数大小和（）、（）有关。
填空题当杂质的K0大于1时，杂质的引入使硅熔点（），固相中杂质浓度（），杂质在硅单晶头部聚集。
