问答题解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。
问答题例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
问答题解释下列名词:互连、接触、通孔和填充塞。
问答题采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?
问答题质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别?