问答题例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
问答题解释下列名词:互连、接触、通孔和填充塞。
问答题采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?
问答题质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别?
问答题名词解释:CVD、LPCVD、PECVD、VPE、BPSG。(将这些名词翻译成中文并做出解释)。