A.没有中间环节,效率比交-直-交变频器高B.功率因数较高C.输出电压的频率上限不高于电网频率的1/3~1/2D.适用于大容量的低速传动
判断题P-MOSFET采用的是横向导电结构,因而具有大的电流容量。
判断题P-MOSFET就是指P沟道的功率场效应管。
判断题GTR和MOSFET都是电流控制型器件。
单项选择题MOSFET有N沟道和P沟道两种,下面说法错误的是()。
A.N沟道中载流子是电子B.P沟道中载流子是空穴C.N沟道有增强型和耗尽型D.P沟道只有耗尽型
判断题GTO的门极加正脉冲可以控制导通,加负脉冲可以控制关断。