需要六次光刻 第一次—N+隐埋层扩散孔光刻； 第二次—P+隔离扩散孔光刻； 第三次—P型基区扩散孔光刻； 第四次—N+发射区扩散孔光刻； 第五次—引线接触孔光刻； 第六次—金属化内连线光刻。
问答题伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的PNP晶体管，试问当横向PNP器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管的影响最大?
问答题一个4位逐次逼近型A D变换器，若满量程电压为5V，请画出输入电压为2.8V时的判决图。
问答题试比较几中常用A D变换器的优缺点，并指出它们在原理上各有何特点。
问答题画出一个简单的用传输门实现的电压定标的3位DAC。
问答题给出ADC的主要技术指标及含义。
