A.该DRC文件是为Diva写的B.metal1层上，最小间距为0.3umC.ngate标识某一个MOS管的栅……

多项选择题关于集成电路中的无源器件说法正确的是（）

A.集成电路无法高效的实现高值无源器件。
B.要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。
C.由于制造工艺上的偏差，无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）也必定很大。
D.尽管存在制造工艺上的偏差，但是无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）可以控制在很小的范围内。

多项选择题下列哪些属于ERC错误的有（）

A.浮动衬底
B.P衬底接到GND上
C.N井接到GND上
D.电路短路

多项选择题下列关于保护环说法正确的是（）

A.保护环的目的是给衬底或井提供均匀的偏置电压。
B.保护环可以接在VDD或GND上。
C.保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。
D.保护环无助于Latchup效应的避免。

多项选择题关于高宽长比MOS管的版图，下列说法正确的是（）

A.高宽长比MOS管通常采用Multi-finger的方式绘制。
B.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其源/漏极的面积会减少。
C.高宽长比MOS管可以通过若干个小MOS管的并联形式绘制。
D.高宽长比MOS管采用Multi-finger后其栅极电阻会减小。

多项选择题关于Cross Talk，下列说法正确的是（）

A.电路的输出端不能浮空，否则Cross Talk可能会引起电路的误操作。
B.Cross Talk是由于连线之间存在耦合电容引起的。
C.在两条敏感连线之间加入一条接地金属线，可以减少Cross Talk的影响。
D.一般来说，连线上信号的频率越高，Cross Talk影响就越小。