碳化硅模块的功率密度显著强于硅基模块。在相同功率等级下，全SiC模块的封装尺寸显著小于Si模块。（）

判断题目前来看，碳化硅集成电路仍是主流，它是把实现某种功能的电路所需的各种元件都放在一块碳化硅片上，所形成的整体被称作碳化硅集成电路。（）

判断题设计、制造过程可能给芯片带来一定的失效，测试过程不会。（）

判断题未来，砷化镓和磷化铟半导体的发展方向是减小晶体直径。（）

判断题电子材料是指与电子工业有关的、专门应用于信息、电子电气等领域的专用材料，是制作电子及微电子元器件、元器件搭载体及周边部件的物质基础。（）

判断题倒装工艺是指在芯片的I O焊盘上直接沉积，或通过RDL布线后沉积凸块（Bump），然后将芯片翻转，进行加热，使熔融的焊料与基板或框架相结合，芯片电气面朝上。（）

判断题芯片切割工艺主要是把硅片切成单个芯片，并第一时间处理硅片上的硅屑，避免对后续工作开展及质量控制造成阻碍。（）

判断题晶体管装配的电子设备其装配密度比集成电路提高几十倍到几千倍，设备的稳定工作时间也大大提高。（）

判断题Fan-in封装的芯片尺寸和产品尺寸在二维平面上是一样大的，芯片有足够的面积把所有的I O接口都放进去，但伴随I O数目的增加，焊球间距的要求也趋于严格。（）

判断题版权对集成电路的保护主要是对软核、固核的保护，即相应的指令序列、程序软件的保护。（）

判断题光刻胶和光刻机在半导体产业链中属于中游制造。（）

判断题存内计算的能效高、精度低。近存计算的算力高、精度高，它是一种基于先进封装的技术途径，通过超短互连技术，可实现存储器和处理器之间数据的近距离搬运。（）

判断题1994年4月1日，“巴黎统筹委员会”（简称“巴统”）正式宣告解散。（）

判断题我国集成电路的光刻胶主要靠进口，对外依存度达到了90%以上。（）

判断题先进电子材料具有优异的性能。（）

判断题1980年，我国成功研制出第四代光刻机，其光刻精度达到3μm，与国际先进水平接近。（）