A.和B.积C.差D.商外界经闭合曲面S流入V内的全部电磁功率等于V内导体的焦耳热与V内的电磁场能量的时间变化……

单项选择题‎任意标量函数A，▽×▽A为（）

A.0
B.3
C.1
D.2

单项选择题‏下列对散度描述错误的是（）

A.矢量场的散度是指当体积趋向于零时，每单位体积内的矢量向外的净通量
B.矢量场的散度表示从一个点出发的矢量场的通量，它指出了在那个点处的合成源
C.矢量场通过任意闭合面向外的总通量不等于矢量场的散度在闭合面所包围的体积内的积分
D.矢量场的散度称为矢量场的散度源

单项选择题标量场的梯度的旋度为（）

A.0
B.-1
C.1
D.∞

单项选择题‍对低频磁场的屏蔽采取（）

A.良好接地的良导体
B.高导磁率材料
C.导体对电磁波反射
D.导体对电磁波吸收

单项选择题当两个或多个电路共用地线时，将产生（）。

A.共电源阻抗耦合
B.共信号线阻抗耦合
C.共地线阻抗耦合