A.∆GaB.-V∆GvC.∆Ga +V∆GvD.∆Ga-V∆Gv
单项选择题晶体生长速率类似于()过程,取决于()。
A.熔融;从熔体一侧移动到晶体一侧原子数目B.扩散;从晶体一侧移动到熔体一侧原子的数目C.熔融过程;从熔体一侧移动到晶体一侧原子数目和晶体一侧移动到熔体一侧原子的数目之差D.扩散过程;从熔体一侧移动到晶体一侧原子数目和晶体一侧移动到熔体一侧原子的数目之差
单项选择题温度对成核速率的影响是,在合适的过冷度范围内,温度(),成核速率越大。
A.越低B.越高C.无规律D.无影响
单项选择题相比均匀成核,非均匀成核的成核位垒更(),发生更加()。
A.小;困难B.大;困难C.小;容易D.大;容易
多项选择题处于过冷状态的熔体,在能量变化上包括()变化。
A.形成新相,体积自由能减少B.形成新的界面,界面能减少C.形成新相,体积自由能增加D.形成新的界面,界面能增加
单项选择题在成核生长型相变过程中,在一定范围内,随着过冷度增加,成核位垒∆G*(),晶核形成越()。
A.增加;容易B.下降;困难C.增加;困难D.下降;容易